2N5232A PBFREE

2N5232A PBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16275 шт., срок 7-9 недель
630 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.540 ֏
от 100 шт.334 ֏
от 500 шт.244 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 260 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005800053

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50V 100mA 625mW Through Hole TO-92

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 30nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power - Max 625mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 125mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 70 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 125 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 250
DC Current Gain hFE Max: 500
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 103 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 28 августа1 бесплатно
HayPost 1 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг