FP75R12KT3BOSA1
![FP75R12KT3BOSA1](https://static.chipdip.ru/lib/810/DOC024810242.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
192 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 192 000 ֏
Описание
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives medical application etc.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 105 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 355 W |
Number of Transistors | 7 |
Package Type | EconoPIM |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 566 КБ