ZTX649

ZTX649
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 190 ֏
от 10 шт.930 ֏
от 100 шт.620 ֏
от 500 шт.466 ֏
1 шт. на сумму 1 190 ֏
Номенклатурный номер: 8005859793
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 35 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 230 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 2 A
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 4000
Gain Bandwidth Product fT: 240 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: ZTX649
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.4536

Техническая документация

Datasheet ZTX649
pdf, 66 КБ