CSD17581Q5AT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 460 ֏
от 10 шт. —
1 100 ֏
от 100 шт. —
780 ֏
от 250 шт. —
770 ֏
1 шт.
на сумму 1 460 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 30V 24A (Ta), 123A (Tc) 3,1W (Ta), 83W (Tc) Поверхностный монтаж 8-VSONP (5x6)
Технические параметры
| Base Product Number | CSD17581 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 24A (Ta), 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3640pF @ 15V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 16A, 10V |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 8-VSONP (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 21 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 85 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | CSD17581Q5A |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSONP-8 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 362 КБ
