ZTX949STZ

ZTX949STZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 370 ֏
от 10 шт.1 060 ֏
от 100 шт.760 ֏
от 500 шт.600 ֏
1 шт. на сумму 1 370 ֏
Номенклатурный номер: 8005898629
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 240 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -4.5 A
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 4.5 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Packaging: Ammo Pack
Pd - Power Dissipation: 1.2 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: ZTX949
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet ZTX949STZ
pdf, 69 КБ