ZHB6718TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 130 ֏
от 10 шт. —
2 380 ֏
от 100 шт. —
1 760 ֏
от 500 шт. —
1 300 ֏
1 шт.
на сумму 3 130 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT H-Bridge-20V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.6 mm (Max) |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 100 mA at 2 V a |
| Конфигурация | Quad |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | ZHB6718 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SM-8 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 2.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 140 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Package Type | SM |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Full Bridge |
| Transistor Type | NPN+PNP |
Техническая документация
Datasheet ZHB6718TA
pdf, 1517 КБ
