IRF830SPBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 890 ֏

от 50 шт. — 2 000 ֏

от 100 шт. — 1 640 ֏

от 500 шт. — 1 290 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 890 ֏

Номенклатурный номер: 8005979988

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 3,1 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK

Base Product Number	IRF830 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	610pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 2.7A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	4.83 mm
Длина	10.67 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm
Вес, г	7