F475R06W1E3BOMA1
![Фото 1/2 F475R06W1E3BOMA1](https://static.chipdip.ru/lib/334/DOC015334712.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/982/DOC037982117.jpg)
34 400 ֏
1 шт.
на сумму 34 400 ֏
Описание
Модуль Trans IGBT N-CH 600 В 100 А 275000 мВт 15-контактный лоток EASY1B-1
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Quad |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 100 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 275000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Screw |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
PCB changed | 15 |
Pin Count | 15 |
PPAP | No |
Supplier Package | EASY1B-1 |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.45 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 275 W |
Number of Transistors | 4 |
Техническая документация
Datasheet F475R06W1E3BOMA1
pdf, 789 КБ
Datasheet F475R06W1E3BOMA1
pdf, 750 КБ