Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRL530PBF

IRL530PBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 520 ֏

от 50 шт. — 1 120 ֏

от 100 шт. — 830 ֏

от 500 шт. — 660 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 520 ֏

Номенклатурный номер: 8006014198

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 100V 15A (Tc) 88W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Технические параметры

Base Product Number	IRL530 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 9A, 5V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250ВµA
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±10
Maximum Continuous Drain Current (A)	15
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	160@5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	28(Max)@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	930@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	88000
Typical Fall Time (ns)	48
Typical Rise Time (ns)	100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	22
Typical Turn-On Delay Time (ns)	4.7
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-220AB
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	9.01(Max)
Package Length	10.41(Max)
Package Width	4.7(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Id - непрерывный ток утечки	15 A
Pd - рассеивание мощности	88 W
Qg - заряд затвора	28 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	100 ns
Время спада	48 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	4.7 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Maximum Continuous Drain Current	15 A
Maximum Drain Source Resistance	160 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	88 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220AB
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	28 nC @ 5 V
Width	4.7mm
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	1