TRS20N65FB,S1Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
108 шт., срок 8-10 недель
7 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Diodes - Rectifiers - Arrays
Диодная решетка 1 пара с общим катодом Карбид кремния Шоттки 650V 10A (DC) сквозное отверстие TO-247-3
Технические параметры
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50ВµA @ 650V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175В°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 10A |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
