ZX5T851GTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 100 шт. —
476 ֏
от 500 шт. —
389 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 60V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
Технические параметры
| Base Product Number | ZX5T851 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 3W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 300mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Pd - рассеивание мощности | 3000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | ZX5T851 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 6A |
| Pd - Power Dissipation | 3W |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Frequency | 130 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 12.8 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Current (Ic) | 6A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 210mV@6A, 300mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@2A, 1V |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Transition Frequency (fT) | 130MHz |
| Case | SOT223 |
| Collector current | 6A |
| Collector-emitter voltage | 60V |
| Current gain | 100…300 |
| Frequency | 130MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 1.2W |
| Type of transistor | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet ZX5T851GTA
pdf, 250 КБ
Datasheet ZX5T851GTA
pdf, 486 КБ
Datasheet ZX5T851GTA
pdf, 439 КБ
