FCX658ATA

FCX658ATA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
880 ֏
1 шт. на сумму 880 ֏
Номенклатурный номер: 8006122890
Бренд: DIODES INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 400V 500mA 50MHz 1W Surface Mount SOT-89-3

Технические параметры

Base Product Number FCX658 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 200mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 50MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 1W
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-89-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Pd - рассеивание мощности 1000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.5 mm
Длина 4.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FCX65
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.5 mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 75 КБ
Datasheet FCX658ATA
pdf, 65 КБ