CSD87503Q3ET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 290 ֏

от 10 шт. — 1 900 ֏

от 25 шт. — 1 720 ֏

от 100 шт. — 1 420 ֏

1 шт. на сумму 2 290 ֏

Номенклатурный номер: 8006177257

МОП-транзистор 30-V Dual N-Channel МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	15.6 W
Qg - заряд затвора	42.8 nC, 42.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	17.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	40 ns, 40 ns
Время спада	8 ns, 8 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	24 S, 24 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	250
Серия	CSD87503Q3E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns, 25 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns, 10 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	VSON-8
Вес, г	0.01