FZT692BTA

Фото 1/6 FZT692BTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 100 ֏
от 10 шт.880 ֏
от 100 шт.590 ֏
от 500 шт.445 ֏
1 шт. на сумму 1 100 ֏
Номенклатурный номер: 8006187668
Бренд: DIODES INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 70V 2A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223

Технические параметры

Base Product Number FZT692 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 150MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2W
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 0,9 В
Длина 6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база 70 В
Transistor Configuration Одинарный
Производитель DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 70 В
Тип корпуса SOT-223
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора 2 A
Тип транзистора NPN
Высота 1.65мм
Число контактов 3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.65мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 150W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 150 at 1 A, 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 70 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT692
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 70
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 70
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9@10mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.15@0.5mA@0.1A|0.5@10mA@1A|0.5@200mA@2A
Maximum DC Collector Current (A) 2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Minimum DC Current Gain 400@500mA@2V|150@1A@2V|500@100mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 3000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name SOT
Pin Count 4
Supplier Package SOT-223
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.6
Package Length 6.5
Package Width 3.5
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector Base Voltage 70 V
Maximum Collector Emitter Voltage 70 V
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Package Type SOT-223(SC-73)

Техническая документация

Datasheet
pdf, 910 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 105 КБ
Datasheet FZT692BTA
pdf, 861 КБ