FF450R12KE4EHOSA1
![FF450R12KE4EHOSA1](https://static.chipdip.ru/lib/020/DOC045020783.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
196 000 ֏
от 10 шт. —
160 000 ֏
1 шт.
на сумму 196 000 ֏
Описание
The Infineon IGBT module is a 62mm module with fast TRENCHSTOP ™ IGBT4 and emitter controlled HE diode.
Технические параметры
Configuration | Common Emitter |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 450 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 2.4 kW |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | CTI |
Pin Count | 7 |
Вес, г | 15 |
Техническая документация
Datasheet FF450R12KE4EHOSA1
pdf, 600 КБ