IGW75N60TFKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 800 ֏
от 30 шт. —
5 300 ֏
от 120 шт. —
4 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 800 ֏
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 428 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGW75N60T SP000054927 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | Trenchstop IGBT3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 428 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
