IPD040N03LGATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
970 ֏
от 10 шт. —
840 ֏
от 21 шт. —
770 ֏
2 шт.
на сумму 2 480 ֏
Описание
Электроэлемент
Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 79А, 94Вт, PG-TO252-3
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 90A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 906 КБ
Datasheet IPD040N03LGATMA1
pdf, 898 КБ
