IPD088N06N3GBTMA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 070 ֏

от 2 шт. — 1 900 ֏

от 5 шт. — 1 580 ֏

от 10 шт. — 1 460 ֏

1 шт. на сумму 2 070 ֏

Номенклатурный номер: 8006199580

Электроэлемент

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 50А, 71Вт, PG-TO252-3

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	50 A
Maximum Drain Source Resistance	8.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	71 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	OptiMOS™ 3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	36 nC @ 10 V
Width	6.22mm
Вес, г	0.4