IKB15N65EH5ATMA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 740 ֏
от 10 шт. —
2 940 ֏
от 100 шт. —
2 070 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 740 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1558 КБ
