Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TJ8S06M3L(T6L1,NQ), MOSFETs P-Ch MOS -8A -60V ...

TJ8S06M3L(T6L1,NQ), MOSFETs P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

11364 шт., срок 7-9 недель

1 410 ֏

1 шт. на сумму 1 410 ֏

Номенклатурный номер: 8006205278

Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified

МОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналом

МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке сильноточной зарядки при низком напряжении и низком значении R DS(on). Компактный корпус и низковольтная работа делают полевые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI Small Signal идеальным решением для корпусов высокой плотности в смартфонах и игровых консолях.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Fall Time:	34 ns
Id - Continuous Drain Current:	8 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	27 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	19 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	104 mOhms
Rise Time:	6 ns
Series:	TJ8S06M3L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	U-MOSVI
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	140 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	0.33