SI4401FDY-T1-GE3, MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 ֏
от 10 шт. —
890 ֏
от 100 шт. —
600 ֏
от 500 шт. —
452 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 070 ֏
Описание
Unclassified
• 40V, 14A TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET in 8 pin SOIC package
• 100% Rg tested
• Suitable for adapter switch, load switch, battery switch and motor drive control
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0118Ом |
| Power Dissipation | 5Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen III |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 14А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0118Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 239 КБ
