MKI50-12F7, IGBT Modules 50 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
129 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 129 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V
Технические параметры
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Серия | MKI50 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Bulk |
| Base Product Number | MKI -> |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Configuration | Full Bridge Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 700ВµA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | NPT |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 125В°C (TJ) |
| Package | Box |
| Package / Case | E2 |
| Power - Max | 350W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | E2 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.8V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MKI50-12F7
pdf, 76 КБ
Datasheet MKI50-12F7
pdf, 75 КБ
