MT3S111(TE85L,F), RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5878 шт., срок 7-9 недель
840 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 6В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Power Dissipation | 700мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
| Частота Перехода ft | 11.5ГГц |
| Вес, г | 0.012 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
