RN2901,LF(CT, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
6846 шт., срок 5-8 недель
334 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 334 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 200 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6
Технические параметры
Base Product Number | TD62081 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Power - Max | 200mW |
Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
RoHS Status | RoHS non-compliant |
Supplier Device Package | US6 |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 909 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг