IXTH76P10T, MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 000 ֏
от 10 шт. —
7 900 ֏
от 30 шт. —
6 800 ֏
от 120 шт. —
5 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 000 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | -76A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Gate charge | 197nC |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 25mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 298W |
| Reverse recovery time | 70ns |
| Technology | TrenchP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 103 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 325 КБ
