IXGH6N170, IGBT Transistors 12 Amps 1700 V 4 V Rds
![Фото 1/4 IXGH6N170, IGBT Transistors 12 Amps 1700 V 4 V Rds](https://static.chipdip.ru/lib/986/DOC003986680.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/049/DOC024049449.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC003255335.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/049/DOC024049453.jpg)
12 700 ֏
от 10 шт. —
10 400 ֏
от 30 шт. —
8 800 ֏
от 120 шт. —
7 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 6 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247AD |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.5 |