SI2302DDS-T1-GE3, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
409 ֏
от 100 шт. —
240 ֏
от 1000 шт. —
151 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Посмотреть аналоги7
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 860 mW |
| Qg - заряд затвора | 5.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Base Product Number | SI2302 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.9A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchFETВ® -> |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.9A(Tj) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 710mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 57mО© @ 3.6A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 850mV @ 250uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.85V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 0.71 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet SI2302DDS-T1-GE3
pdf, 195 КБ
Datasheet SI2302DDS-T1-GE3
pdf, 209 КБ
Datasheet SI2302DDS-T1-GE3
pdf, 208 КБ
