TK17A80W,S4X, MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
351 шт., срок 5-8 недель
4 580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Высота | 15 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | TK17A80W |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 58 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.5 mm |
| Base Product Number | TLP3043 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 300V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | DTMOSIV -> |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 850ВµA |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet TK17A80W,S4X
pdf, 410 КБ
Datasheet TK17A80W.S4X
pdf, 410 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
