FS35R12W1T7B11BOMA1, IGBT Modules N
![Фото 1/2 FS35R12W1T7B11BOMA1, IGBT Modules N](https://static.chipdip.ru/lib/746/DOC028746081.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/825/DOC044825748.jpg)
50 500 ֏
от 10 шт. —
42 700 ֏
от 24 шт. —
36 700 ֏
1 шт.
на сумму 50 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon EasyPACK 1B 1200 V, 35 A six-pack IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
Base Product Number | FS35R12 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Tray |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 35А |
DC Ток Коллектора | 35А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EasyPACK |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.6В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Package Type | AG-EASY1B-711 |
Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet FS35R12W1T7B11BOMA1
pdf, 806 КБ