TBC857B,LM, Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8897 шт., срок 7-9 недель

207 ֏

1 шт. на сумму 207 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006212001

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BJT PNP -0.15A -50V

Pd - рассеивание мощности	320 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	220 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	150 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	TBC8X7
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.03