SI4459BDY-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 16V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 470 ֏
от 10 шт. —
1 120 ֏
от 100 шт. —
830 ֏
от 500 шт. —
660 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 470 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs SO-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 27.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 5.6 W |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 81 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0041Ом |
| Power Dissipation | 5.6Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 27.8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 5.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0041Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SI4459BDY-T1-GE3
pdf, 162 КБ
SI4459BDY
pdf, 163 КБ
