IXFK80N50Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
![IXFK80N50Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529485.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 300 ֏
от 10 шт. —
30 900 ֏
от 25 шт. —
26 800 ֏
от 50 шт. —
26 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 300 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 500V/80A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
Qg - заряд затвора | 200 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 250 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXFK80N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Вес, г | 211 |
Техническая документация
Datasheet IXFK80N50Q3
pdf, 126 КБ