SI4160DY-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 520 ֏
от 10 шт. —
1 340 ֏
от 100 шт. —
990 ֏
от 500 шт. —
770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 25.4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 5.7 W |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SI4160DY-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SI4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.004Ом |
| Power Dissipation | 5.7Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 25.4А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 202 КБ
Datasheet SI4160DY-T1-GE3
pdf, 214 КБ
