Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › SSM6N16FUTE85LF, MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A ...

SSM6N16FUTE85LF, MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10400 шт., срок 7-9 недель

620 ֏

1 шт. на сумму 620 ֏

Номенклатурный номер: 8006216058

Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified

МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	100 mA
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.9 mm
Длина	2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6N16
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	125 ns
Типичное время задержки при включении	70 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-363-6
Ширина	1.25 mm
Base Product Number	TLP350 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	100mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
ECCN	EAR99
FET Feature	Standard
FET Type	2 N-Channel (Dual)
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.3pF @ 3V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	200mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 10mA, 4V
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	US6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 100ВµA
Вес, г	0.0075