TK100A10N1,S4X, MOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
![TK100A10N1,S4X, MOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
45 шт., срок 7-9 недель
4 760 ֏
1 шт.
на сумму 4 760 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор МОП-транзистор NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 140 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.1 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15 mm |
Длина | 10 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TK100A10N1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.5 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet TK100A10N1.S4X
pdf, 233 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг