IXFN230N20T, MOSFET Modules 230A 200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 500 ֏
от 10 шт. —
34 800 ֏
от 20 шт. —
31 000 ֏
от 50 шт. —
30 600 ֏
1 шт.
на сумму 42 500 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 200В 220A 1090Вт 0,0075Ом SOT227B Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 220A |
| Drain-source voltage | 200V |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 358nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 7.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1090W |
| Pulsed drain current | 630A |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | GigaMOS™ |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 117 КБ
