ISL95808HRZ-T, Gate Drivers HV Sync Rectified MOSFET DRIVER
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4782 шт., срок 6-9 недель
3 740 ֏
от 10 шт. —
2 980 ֏
от 100 шт. —
2 290 ֏
от 250 шт. —
2 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 740 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
• Dual MOSFET drivers for synchronous rectified bridge
• Adaptive shoot-through protection
• Supports high switching frequency up to 2MHz
• Fast output rise and fall time, low propagation delay
• Three-state PWM input for power stage shutdown
• Internal bootstrap schottky diode, low shutdown supply current
• Diode emulation for enhanced light-load efficiency and prebiased start-up applications
• VCC POR (Power-On Reset) feature integrated
• Low three-state shutdown hold-off time
• 8 lead DFN package, temperature range from -10 to +100°C
Технические параметры
IC Case / Package | DFN-EP |
Задержка Выхода | 18нс |
Задержка по Входу | 20нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 2канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Полумост |
Максимальная Рабочая Температура | 100°C |
Максимальное Напряжение Питания | 5.5В |
Минимальная Рабочая Температура | -10°C |
Минимальное Напряжение Питания | 4.5В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Стиль Корпуса Привода | DFN |
Тип переключателя питания | MOSFET |
Ток истока | 2А |
Ток стока | 2А |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.011 |
Техническая документация
Datasheet ISL95808HRZ-T
pdf, 530 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг