IXTH450P2, MOSFETs PolarP2 Power MOSFET

IXTH450P2, MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 400 ֏
от 10 шт.6 100 ֏
от 30 шт.5 600 ֏
от 120 шт.4 430 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 400 ֏
Номенклатурный номер: 8006217771
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
МОП-транзистор PolarP2 Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 16 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 330 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение Polar2 HiPerFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXTH450
Технология Si
Тип PolarP2 Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
California Prop 65 Warning Information
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2530pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 8A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series PolarP2в„ў ->
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250ВµA
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet IXTH450P2
pdf, 141 КБ