SI4178DY-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 ֏
от 10 шт. —
670 ֏
от 100 шт. —
418 ֏
от 500 шт. —
342 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор полевой SI4178DY-T1-GE3 от VISHAY – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Данный транзистор обладает током стока 12 А и напряжением сток-исток 30 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Мощность транзистора составляет 5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 0,033 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Компактный корпус SO8 обеспечивает удобство интеграции в печатные платы. Код товара SI4178DYT1GE3 подтверждает подлинность и соответствие техническим параметрам производителя VISHAY. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 12 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.033 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Case | SO8 |
| Drain current | 6.7A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate charge | 12nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 33mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.5066 |
