SI3993CDV-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 ֏
от 10 шт. —
540 ֏
от 100 шт. —
347 ֏
от 500 шт. —
258 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 188 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSOP-6 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
| Вес, г | 0.02 |
