IRLR014PBF, MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 030 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
от 500 шт. —
520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 844-IRLR014
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 110 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.4 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.3 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Вес, г | 0.61 |
