IXFH32N100X, MOSFETs 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 200 ֏
от 30 шт. —
14 800 ֏
от 60 шт. —
13 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 200 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 1000V 32A TO-247 Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
Pd - рассеивание мощности | 890 W |
Qg - заряд затвора | 130 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 12 ns |
Время спада | 12 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | X-Class |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 32A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4075pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 890W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 16A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HiPerFETв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 4mA |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXFH32N100X
pdf, 937 КБ