IFF600B12ME4PB11BPSA1, IGBT Modules N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

251 000 ֏

от 12 шт. — 219 000 ֏

1 шт. на сумму 251 000 ֏

Номенклатурный номер: 8006218839

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Pd - рассеивание мощности	20 mW
Вид монтажа	Press Fit
Другие названия товара №	SP001377694
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	15 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	600 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	6
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
Channel Type	N
Configuration	Dual
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	600 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Number of Transistors	2
Package Type	ECONOD
Transistor Configuration	Dual
Вес, г	1