SI4174DY-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 120 ֏
от 10 шт. —
890 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
от 500 шт. —
465 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 120 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 13,5А, 3,2Вт, SO8
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | 13.5A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate charge | 8nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 9.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.2W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 191 КБ
