RN1707,LF, Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
6000 шт., срок 5-8 недель
356 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 356 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж USV
Технические параметры
| Base Product Number | TB67B000 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Power - Max | 200mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Supplier Device Package | USV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вес, г | 0.0062 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 432 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
