IRFZ40PBF, MOSFETs 60V N-CH HEXFET MOSFET
![Фото 1/5 IRFZ40PBF, MOSFETs 60V N-CH HEXFET MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514980.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/712/DOC004712817.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/068/DOC006068732.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
3 030 ֏
от 10 шт. —
2 050 ֏
от 100 шт. —
1 690 ֏
от 250 шт. —
1 540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-Chan 50V 50 Amp
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.028Ом |
Power Dissipation | 150Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 35А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.028Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 28@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220AB |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 12 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 40 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 40@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2350@25V |
Typical Rise Time (ns) | 25 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 788 КБ
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Datasheet
pdf, 771 КБ
Datasheet IRFZ40PBF
pdf, 1622 КБ