IXTH50P10, MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 600 ֏
от 30 шт. —
9 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 600 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор -50 Amps -100V 0.055 Rds
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 39 ns |
| Время спада | 38 ns |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTH50P10 |
| Технология | Si |
| Тип | Standard Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 86 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.3 mm |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 25A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 47 |
Техническая документация
Datasheet IXTH50P10
pdf, 120 КБ
Datasheet IXTH50P10
pdf, 125 КБ
