SI1023X-T1-GE3, MOSFETs Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 ֏

от 10 шт. — 418 ֏

от 100 шт. — 303 ֏

от 500 шт. — 222 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 ֏

Номенклатурный номер: 8006220386

Unclassified

МОП-транзистор Dual P-Ch МОП-транзистор 20V 1.2 ohms @ 4.5V

Id - непрерывный ток утечки	390 mA
Pd - рассеивание мощности	280 mW
Qg - заряд затвора	1500 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	6 V, + 6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	450 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SI1023X-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	SOT-563-6
Вес, г	0.003