IXGH20N120A3, IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
![Фото 1/3 IXGH20N120A3, IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769642.jpg)
9 700 ֏
от 30 шт. —
6 900 ֏
от 120 шт. —
5 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 700 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ IXGH20N120A3 от известного производителя IXYS представляет собой высокомощный компонент для эффективного управления электрическими нагрузками. Этот IGBT транзистор, выполненный в надежном корпусе TO247, предназначен для монтажа в отверстия на печатной плате (THT). С током коллектора до 20 А и способностью выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В, он идеально подходит для задач, требующих высокой мощности до 180 Вт. Транзистор IXGH20N120A3 станет надежным решением для сложных электронных схем. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 20 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
Мощность, Вт | 180 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 180 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | GenX3 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
Непрерывный коллекторный ток | 40 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 120 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGH20N120 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Case | TO247-3 |
Collector current | 20A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate charge | 50nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 180W |
Pulsed collector current | 120A |
Technology | GenX3™, PT |
Turn-off time | 1.53µs |
Turn-on time | 66ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.5 |