IKP40N65F5XKSA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 580 ֏
от 10 шт. —
3 600 ֏
от 25 шт. —
3 260 ֏
от 100 шт. —
2 610 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ IKP40N65F5XSA1 производства INFINEON - это высокопроизводительный IGBT-транзистор, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Способен управлять током коллектора до 74 А и поддерживает напряжение коллектор-эмиттер до 650 В, что делает его идеальным для мощных применений. Его мощность в 255 Вт позволяет использовать его в различных областях электроники, где требуется надежное управление большими токами. Компактный корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобство монтажа и экономию места на плате. Данный транзистор IKP40N65F5XKSA1 будет отличным выбором для профессионалов, ищущих надежные компоненты для своих проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 74 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Мощность, Вт | 255 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
| Maximum Power Dissipation | 255 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IKW40N65F5
pdf, 2466 КБ
